Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - IGBTs - Single
  5. APT35GP120B2DQ2G

Microsemi Corporation - APT35GP120B2DQ2G

KEY Part #: K6421751

APT35GP120B2DQ2G Ceny (USD) [4309ks skladem]

  • 1 pcs$10.05361
  • 10 pcs$9.13998
  • 25 pcs$8.45448
  • 100 pcs$7.38992
  • 250 pcs$6.73790
Číslo dílu:
APT35GP120B2DQ2G
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Zener - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - RF, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G. APT35GP120B2DQ2G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT35GP120B2DQ2G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT35GP120B2DQ2G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APT35GP120B2DQ2G
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Série : POWER MOS 7®
Stav části : Active
Typ IGBT : PT
Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 1200V
Proud - kolektor (Ic) (Max) : 96A
Proud - kolektor pulzní (Icm) : 140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 35A
Výkon - Max : 543W
Přepínání energie : 750µJ (on), 680µJ (off)
Typ vstupu : Standard
Gate Charge : 150nC
Td (zapnuto / vypnuto) @ 25 ° C : 16ns/95ns
Podmínky testu : 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Doba zpětného obnovení (trr) : -
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : TO-247-3 Variant
Balík zařízení pro dodavatele : -

Poslední zprávy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Můžete se také zajímat
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • FDV301N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.

  • SSM3J325F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.

  • BSS123NH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.

  • BSS7728NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.

Horké díly