Microsemi Corporation - APTGT75SK60T1G

KEY Part #: K6534787

[384ks skladem]


    Číslo dílu:
    APTGT75SK60T1G
    Výrobce:
    Microsemi Corporation
    Detailní popis:
    IGBT 600V 100A 250W SP1.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - TRIAC, Diody - Zener - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTGT75SK60T1G. APTGT75SK60T1G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTGT75SK60T1G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGT75SK60T1G Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : APTGT75SK60T1G
    Výrobce : Microsemi Corporation
    Popis : IGBT 600V 100A 250W SP1
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ IGBT : Trench Field Stop
    Konfigurace : Single
    Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 600V
    Proud - kolektor (Ic) (Max) : 100A
    Výkon - Max : 250W
    Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 75A
    Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 250µA
    Vstupní kapacita (Cies) @ Vce : 4.62nF @ 25V
    Vstup : Standard
    Termistor NTC : Yes
    Provozní teplota : -40°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Chassis Mount
    Balíček / Případ : SP1
    Balík zařízení pro dodavatele : SP1

    Můžete se také zajímat
    • VS-VSKH91/12

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MODULE THYRISTOR 95A ADD-A-PAK.

    • VS-CPV363M4UPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-CPV362M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-CPV362M4UPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-CPV363M4FPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GB50NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 84A 431W SOT-227.