Nexperia USA Inc. - PMEG2010BELD,315

KEY Part #: K6456497

PMEG2010BELD,315 Ceny (USD) [1771238ks skladem]

  • 1 pcs$0.04248
  • 10,000 pcs$0.04227
  • 30,000 pcs$0.03877
  • 50,000 pcs$0.03731

Číslo dílu:
PMEG2010BELD,315
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Detailní popis:
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD882. Schottky Diodes & Rectifiers 20V 0.5A low VF MEGA Barrier Rectifier
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - RF, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tyristory - DIAC, SIDAC, Diody - usměrňovače - pole, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - IGBTs - Single and Tranzistory - JFETy ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Nexperia USA Inc. PMEG2010BELD,315. PMEG2010BELD,315 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na PMEG2010BELD,315, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMEG2010BELD,315 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : PMEG2010BELD,315
Výrobce : Nexperia USA Inc.
Popis : DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD882
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 20V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 490mV @ 1A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 1.6ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 200µA @ 20V
Kapacita @ Vr, F : 40pF @ 1V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : SOD-882
Balík zařízení pro dodavatele : DFN1006-2
Provozní teplota - křižovatka : 150°C (Max)

Můžete se také zajímat
  • DSEP8-03AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA.

  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • FESB8BTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM

  • UGB8CTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8DTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8ATHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM