Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Integrované obvody (IC)
  4. Paměť
  5. W949D2DBJX5E

Winbond Electronics - W949D2DBJX5E

KEY Part #: K939792

W949D2DBJX5E Ceny (USD) [26867ks skladem]

  • 1 pcs$2.08892
Číslo dílu:
W949D2DBJX5E
Výrobce:
Winbond Electronics
Detailní popis:
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: PMIC - Tepelné řízení, PMIC - měření spotřeby energie, Vestavěné mikrokontroléry, Rozhraní - Moduly, PMIC - regulátory napětí - regulátory lineárního r, Ovladače PMIC - Power Over Ethernet (PoE), Hodiny / časování - programovatelné časovače a osc and Rozhraní - UART (Universal Asynchronous Receiver T ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Winbond Electronics W949D2DBJX5E. W949D2DBJX5E může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na W949D2DBJX5E, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D2DBJX5E Vlastnosti produktu

Číslo dílu : W949D2DBJX5E
Výrobce : Winbond Electronics
Popis : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Série : -
Stav části : Active
Typ paměti : Volatile
Formát paměti : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Velikost paměti : 512Mb (16M x 32)
Frekvence hodin : 200MHz
Čas zápisu - slovo, strana : 15ns
Čas přístupu : 5ns
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 1.7V ~ 1.95V
Provozní teplota : -25°C ~ 85°C (TC)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 90-TFBGA
Balík zařízení pro dodavatele : 90-VFBGA (8x13)

Poslední zprávy

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Můžete se také zajímat
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

Horké díly