Microsemi Corporation - APTC90DDA12T1G

KEY Part #: K6523812

[4041ks skladem]


    Číslo dílu:
    APTC90DDA12T1G
    Výrobce:
    Microsemi Corporation
    Detailní popis:
    MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Zener - pole, Diody - Zener - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - SCR - Moduly, Tyristory - SCR, Diody - usměrňovače - pole and Tyristory - TRIAC ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTC90DDA12T1G. APTC90DDA12T1G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTC90DDA12T1G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTC90DDA12T1G Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : APTC90DDA12T1G
    Výrobce : Microsemi Corporation
    Popis : MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
    Série : CoolMOS™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
    Funkce FET : Super Junction
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 900V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 30A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 26A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 100V
    Výkon - Max : 250W
    Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Chassis Mount
    Balíček / Případ : SP1
    Balík zařízení pro dodavatele : SP1