GeneSiC Semiconductor - GB02SHT03-46

KEY Part #: K6440944

Detailní popis:: DIODE SCHOTTKY 300V 4A. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Můstkové usměrňovače, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - Zener - Single and Tranzistory - IGBTs - Arrays ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor GB02SHT03-46. GB02SHT03-46 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na GB02SHT03-46, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : GB02SHT03-46

Výrobce : GeneSiC Semiconductor

Popis : DIODE SCHOTTKY 300V 4A

Série : -

Stav části : Active

Typ diod : Silicon Carbide Schottky

Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 300V

Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 4A (DC)

Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 1A

Rychlost : No Recovery Time > 500mA (Io)

Doba zpětného obnovení (trr) : 0ns

Proud - reverzní únik @ Vr : 5µA @ 300V

Kapacita @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz

Typ montáže : Through Hole

Balíček / Případ : TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

Balík zařízení pro dodavatele : TO-46

Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 225°C

Můžete se také zajímat

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
VS-20ETF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.
UHB10FT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
VS-E4PU3006L-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
STTH3002PI

STMicroelectronics

DIODE GEN PURP 200V 30A DOP3I. Rectifiers Recovery Diode Ultra Fast
STTH8S06FP

STMicroelectronics

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers ULT FAST HI VLT RECT TURBO 2

Horké díly