Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole
  5. ALD212908PAL

Advanced Linear Devices Inc. - ALD212908PAL

KEY Part #: K6521936

ALD212908PAL Ceny (USD) [23481ks skladem]

  • 1 pcs$1.75513
  • 50 pcs$1.04517
Číslo dílu:
ALD212908PAL
Výrobce:
Advanced Linear Devices Inc.
Detailní popis:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - RF, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tyristory - SCR and Tranzistory - programovatelný Unijunction ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Advanced Linear Devices Inc. ALD212908PAL. ALD212908PAL může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na ALD212908PAL, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD212908PAL Vlastnosti produktu

Číslo dílu : ALD212908PAL
Výrobce : Advanced Linear Devices Inc.
Popis : MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Série : EPAD®, Zero Threshold™
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funkce FET : Logic Level Gate
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 10.6V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : -
Výkon - Max : 500mW
Provozní teplota : 0°C ~ 70°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Balík zařízení pro dodavatele : 8-PDIP

Poslední zprávy

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers
Můžete se také zajímat
  • BSR58

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23.

  • MMBFJ271

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 30V 0.225W SOT23.

  • SI4808DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.

  • SI4276DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

  • LN60A01ES-LF-Z

    Monolithic Power Systems Inc.

    MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC.

  • ALD110802SCL

    Advanced Linear Devices Inc.

    MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC.

Horké díly