Vishay Siliconix - SIHJ6N65E-T1-GE3

KEY Part #: K6418991

SIHJ6N65E-T1-GE3 Ceny (USD) [85885ks skladem]

  • 1 pcs$0.45527
  • 3,000 pcs$0.42655

Číslo dílu:
SIHJ6N65E-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - IGBTs - Single and Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SIHJ6N65E-T1-GE3. SIHJ6N65E-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SIHJ6N65E-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHJ6N65E-T1-GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SIHJ6N65E-T1-GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 650V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 5.6A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 868 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 596pF @ 100V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 74W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® SO-8
Balíček / Případ : PowerPAK® SO-8