S1J-KR2G Ceny (USD) [2511991ks skladem]
- 1 pcs$0.01472
- Číslo dílu:
- S1J-KR2G
- Výrobce:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detailní popis:
- STANDARD RECOVERY RECTIFIER.
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR - Moduly, Tyristory - SCR, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBTs - Single and Tranzistory - JFETy ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Taiwan Semiconductor Corporation S1J-KR2G. S1J-KR2G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na S1J-KR2G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
S1J-KR2G Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
S1J-KR2G
Výrobce :
Taiwan Semiconductor Corporation
Popis :
STANDARD RECOVERY RECTIFIER
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Rychlost :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
1.5µs
Proud - reverzní únik @ Vr :
1µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
DO-214AC, SMA
Balík zařízení pro dodavatele :
DO-214AC (SMA)
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
BAS70-00-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single
Horké díly
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73