Microsemi Corporation - APTC60HM70RT3G

KEY Part #: K6522663

APTC60HM70RT3G Ceny (USD) [1784ks skladem]

  • 1 pcs$24.27363
  • 100 pcs$23.66546

Číslo dílu:
APTC60HM70RT3G
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR - Moduly, Diody - Zener - pole, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - usměrňovače - pole and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTC60HM70RT3G. APTC60HM70RT3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTC60HM70RT3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60HM70RT3G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTC60HM70RT3G
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
Série : CoolMOS™
Stav části : Active
Typ FET : 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 600V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 259nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
Výkon - Max : 250W
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : -
Balíček / Případ : SP3
Balík zařízení pro dodavatele : SP3