ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320C-3DBLA1-TR

KEY Part #: K936854

IS46DR16320C-3DBLA1-TR Ceny (USD) [15222ks skladem]

  • 1 pcs$3.60147
  • 2,500 pcs$3.58355

Číslo dílu:
IS46DR16320C-3DBLA1-TR
Výrobce:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detailní popis:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32M x 16 DDR2
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Vestavěné CPLD (komplexní programovatelná logická , Logické - signální přepínače, multiplexory, dekodé, Vestavěné PLD (programovatelné logické zařízení), PMIC - regulátory napětí - regulátory lineárního r, Logika - překladatelé, řadiče úrovní, Embedded - Systém na čipu (SoC), Logika - Multivibrators and Hodiny / časování - programovatelné časovače a osc ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-3DBLA1-TR. IS46DR16320C-3DBLA1-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS46DR16320C-3DBLA1-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320C-3DBLA1-TR Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IS46DR16320C-3DBLA1-TR
Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Popis : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Série : -
Stav části : Active
Typ paměti : Volatile
Formát paměti : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Velikost paměti : 512Mb (32M x 16)
Frekvence hodin : 333MHz
Čas zápisu - slovo, strana : 15ns
Čas přístupu : 450ps
Paměťové rozhraní : Parallel
Napětí - napájení : 1.7V ~ 1.9V
Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 84-TFBGA
Balík zařízení pro dodavatele : 84-TWBGA (8x12.5)

Poslední zprávy

Můžete se také zajímat
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16