ON Semiconductor - NVATS4A101PZT4G

KEY Part #: K6394766

NVATS4A101PZT4G Ceny (USD) [258188ks skladem]

  • 1 pcs$0.14397
  • 3,000 pcs$0.14326

Číslo dílu:
NVATS4A101PZT4G
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - SCR, Diody - Zener - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - speciální účel and Diody - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor NVATS4A101PZT4G. NVATS4A101PZT4G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na NVATS4A101PZT4G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVATS4A101PZT4G Vlastnosti produktu

Číslo dílu : NVATS4A101PZT4G
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 30V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 875pF @ 10V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 36W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : ATPAK
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63