Taiwan Semiconductor Corporation - HS1KL RHG

KEY Part #: K6437503

HS1KL RHG Ceny (USD) [1538180ks skladem]

  • 1 pcs$0.02405

Číslo dílu:
HS1KL RHG
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Usměrňovače - Single and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Taiwan Semiconductor Corporation HS1KL RHG. HS1KL RHG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na HS1KL RHG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS1KL RHG Vlastnosti produktu

Číslo dílu : HS1KL RHG
Výrobce : Taiwan Semiconductor Corporation
Popis : DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 800V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 75ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 5µA @ 800V
Kapacita @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-219AB
Balík zařízení pro dodavatele : Sub SMA
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Můžete se také zajímat
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM