BYT51A-TR Ceny (USD) [534407ks skladem]
- 1 pcs$0.06956
- 25,000 pcs$0.06921
- Číslo dílu:
- BYT51A-TR
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE AVALANCHE 50V 1.5A SOD57. Rectifiers 1.5 Amp 50 Volt 50 Amp IFSM
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - JFETy and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division BYT51A-TR. BYT51A-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BYT51A-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
BYT51A-TR Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
BYT51A-TR
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE AVALANCHE 50V 1.5A SOD57
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Avalanche
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
50V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1.5A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Rychlost :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
4µs
Proud - reverzní únik @ Vr :
1µA @ 50V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
SOD-57, Axial
Balík zařízení pro dodavatele :
SOD-57
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
APT15DQ100KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, TO-220, RoHS
-
APT15D120KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1200V, 15A, TO-220, RoHS
-
APT15D100KG
Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, 15A, TO-220, RoHS
-
1N4448 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL DIODE
-
BAS521,115
Nexperia USA Inc.
DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching 300V 250mA
-
BAS521,135
Nexperia USA Inc.
DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching HI VOLTAGE SWITCHING DIODE 300V 625mA
Horké díly
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215