GeneSiC Semiconductor - FR12B02

KEY Part #: K6425378

FR12B02 Ceny (USD) [11766ks skladem]

  • 1 pcs$3.50254
  • 200 pcs$2.03116

Číslo dílu:
FR12B02
Výrobce:
GeneSiC Semiconductor
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4. Rectifiers 100V 12A Fast Recovery
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Usměrňovače - Single and Diody - Můstkové usměrňovače ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor FR12B02. FR12B02 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FR12B02, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FR12B02 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : FR12B02
Výrobce : GeneSiC Semiconductor
Popis : DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 100V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 12A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 800mV @ 12A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 200ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 25µA @ 100V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Chassis, Stud Mount
Balíček / Případ : DO-203AA, DO-4, Stud
Balík zařízení pro dodavatele : DO-4
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 150°C
Můžete se také zajímat
  • RHRD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V Hyperfast

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • LXA03D530-TL

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V, 3A, Low Qrr PFC boost 75nC

  • LXA03D530

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V 3A X-Series 3A 75nC 3.2A 0.34