Infineon Technologies - IPL65R190E6AUMA1

KEY Part #: K6401846

IPL65R190E6AUMA1 Ceny (USD) [2909ks skladem]

  • 3,000 pcs$0.66545

Číslo dílu:
IPL65R190E6AUMA1
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 4VSON.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - speciální účel, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Tyristory - DIAC, SIDAC ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPL65R190E6AUMA1. IPL65R190E6AUMA1 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPL65R190E6AUMA1, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL65R190E6AUMA1 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPL65R190E6AUMA1
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 4VSON
Série : CoolMOS™ E6
Stav části : Obsolete
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 650V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 20.2A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1620pF @ 100V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 151W (Tc)
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-VSON-4
Balíček / Případ : 4-PowerTSFN

Můžete se také zajímat
  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.