Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34CHE3_A/H

KEY Part #: K6457956

EGL34CHE3_A/H Ceny (USD) [782736ks skladem]

  • 1 pcs$0.04725

Číslo dílu:
EGL34CHE3_A/H
Výrobce:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - speciální účel, Diody - RF and Tranzistory - JFETy ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34CHE3_A/H. EGL34CHE3_A/H může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na EGL34CHE3_A/H, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGL34CHE3_A/H Vlastnosti produktu

Číslo dílu : EGL34CHE3_A/H
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213
Série : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 150V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 500mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 500mA
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 50ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 5µA @ 150V
Kapacita @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-213AA (Glass)
Balík zařízení pro dodavatele : DO-213AA (GL34)
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C

Můžete se také zajímat
  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • BYM07-100-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 100 Volt