STMicroelectronics - STD9N65M2

KEY Part #: K6419326

STD9N65M2 Ceny (USD) [105345ks skladem]

  • 1 pcs$0.37117
  • 2,500 pcs$0.31128

Číslo dílu:
STD9N65M2
Výrobce:
STMicroelectronics
Detailní popis:
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - RF, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tyristory - SCR, Diody - usměrňovače - pole, Diody - Můstkové usměrňovače and Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky STMicroelectronics STD9N65M2. STD9N65M2 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na STD9N65M2, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD9N65M2 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : STD9N65M2
Výrobce : STMicroelectronics
Popis : MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Série : MDmesh™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 650V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 315pF @ 100V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 60W (Tc)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : DPAK
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63