IDC40D120T6MX1SA4 Ceny (USD) [15407ks skladem]
- 1 pcs$2.67505
- Číslo dílu:
- IDC40D120T6MX1SA4
- Výrobce:
- Infineon Technologies
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER.
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Diody - RF, Diody - Zener - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single and Diody - usměrňovače - pole ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IDC40D120T6MX1SA4. IDC40D120T6MX1SA4 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IDC40D120T6MX1SA4, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
IDC40D120T6MX1SA4 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
IDC40D120T6MX1SA4
Výrobce :
Infineon Technologies
Popis :
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
1200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
75A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
2.05V @ 75A
Rychlost :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
-
Proud - reverzní únik @ Vr :
14µA @ 1200V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
Die
Balík zařízení pro dodavatele :
Sawn on foil
Provozní teplota - křižovatka :
-40°C ~ 175°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Horké díly
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08