Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K217FE,LF

KEY Part #: K6421598

SSM6K217FE,LF Ceny (USD) [944660ks skladem]

  • 1 pcs$0.17402
  • 10 pcs$0.13724
  • 100 pcs$0.09409
  • 500 pcs$0.06453
  • 1,000 pcs$0.04839

Číslo dílu:
SSM6K217FE,LF
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailní popis:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - JFETy, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tyristory - SCR, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - RF, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) and Tyristory - DIAC, SIDAC ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF. SSM6K217FE,LF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SSM6K217FE,LF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6K217FE,LF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SSM6K217FE,LF
Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Série : U-MOSVII-H
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 40V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 1.8A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.1nC @ 4.2V
Vgs (Max) : ±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 10V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 500mW (Ta)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : ES6
Balíček / Případ : SOT-563, SOT-666