Číslo dílu :
SI4100DY-T1-GE3
Výrobce :
Vishay Siliconix
Popis :
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
100V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
6.8A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
63 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 50V
Ztráta výkonu (Max) :
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
8-SO
Balíček / Případ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)