Vishay Siliconix - SIR872DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418436

SIR872DP-T1-GE3 Ceny (USD) [63898ks skladem]

  • 1 pcs$0.61193
  • 3,000 pcs$0.57332

Číslo dílu:
SIR872DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Diody - RF, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Zener - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - programovatelný Unijunction and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SIR872DP-T1-GE3. SIR872DP-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SIR872DP-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR872DP-T1-GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SIR872DP-T1-GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Série : TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 150V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 53.7A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2130pF @ 75V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® SO-8
Balíček / Případ : PowerPAK® SO-8

Můžete se také zajímat
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.