ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160F-5BLA1-TR

KEY Part #: K938170

Detailní popis:: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Logika - brány a střídače, PMIC - regulátory napětí - DC DC přepínací regulát, Hodiny / časování - programovatelné časovače a osc, Vestavěné mikrokontroléry, Rozhraní - KÓD, Logika - Speciální logika, Rozhraní - kodéry, dekodéry, převodníky and Vestavěné - FPGA (Field Programmable Gate Array) s ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5BLA1-TR. IS46R16160F-5BLA1-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS46R16160F-5BLA1-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : IS46R16160F-5BLA1-TR

Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Popis : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Série : -

Stav části : Active

Typ paměti : Volatile

Formát paměti : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR

Velikost paměti : 256Mb (16M x 16)

Frekvence hodin : 200MHz

Čas zápisu - slovo, strana : 15ns

Čas přístupu : 700ps

Paměťové rozhraní : Parallel

Napětí - napájení : 2.3V ~ 2.7V

Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : 60-TFBGA

Balík zařízení pro dodavatele : 60-TFBGA (13x8)

Můžete se také zajímat

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)