NXP USA Inc. - PHD3055E,118

KEY Part #: K6415286

[12461ks skladem]


    Číslo dílu:
    PHD3055E,118
    Výrobce:
    NXP USA Inc.
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - Zener - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - JFETy and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky NXP USA Inc. PHD3055E,118. PHD3055E,118 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na PHD3055E,118, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHD3055E,118 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : PHD3055E,118
    Výrobce : NXP USA Inc.
    Popis : MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
    Série : TrenchMOS™
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 10.3A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 25V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 33W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Surface Mount
    Balík zařízení pro dodavatele : DPAK
    Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63