Toshiba Semiconductor and Storage - RN1109MFV,L3F

KEY Part #: K6527810

[2707ks skladem]


    Číslo dílu:
    RN1109MFV,L3F
    Výrobce:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detailní popis:
    TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Diody - Zener - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF and Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage RN1109MFV,L3F. RN1109MFV,L3F může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RN1109MFV,L3F, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1109MFV,L3F Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : RN1109MFV,L3F
    Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
    Popis : TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
    Série : -
    Stav části : Active
    Typ tranzistoru : NPN - Pre-Biased
    Proud - kolektor (Ic) (Max) : 100mA
    Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 50V
    Rezistor - základna (R1) : 47 kOhms
    Rezistor - Emitter Base (R2) : 22 kOhms
    Zisk stejnosměrného proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA
    Proud - Mezní hodnota kolektoru (Max) : 500nA
    Frekvence - Přechod : -
    Výkon - Max : 150mW
    Typ montáže : Surface Mount
    Balíček / Případ : SOT-723
    Balík zařízení pro dodavatele : VESM