Infineon Technologies - IPB80N06S4L07ATMA2

KEY Part #: K6419838

IPB80N06S4L07ATMA2 Ceny (USD) [137238ks skladem]

  • 1 pcs$0.26951
  • 1,000 pcs$0.24720

Číslo dílu:
IPB80N06S4L07ATMA2
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tyristory - TRIAC, Diody - Zener - pole and Tyristory - SCR ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA2. IPB80N06S4L07ATMA2 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPB80N06S4L07ATMA2, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80N06S4L07ATMA2 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPB80N06S4L07ATMA2
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Série : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 5680pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 79W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO263-3-2
Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB