ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16160F-6BLI-TR

KEY Part #: K939276

Detailní popis:: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: PMIC - Nabíječky Baterií, PMIC - Regulátory napětí - Linear + Switching, PMIC - Řízení spotřeby - Specialized, IC čipy, Logika - Multivibrators, Ovladače PMIC - LED, Převodníky PMIC - V / F a F / V and Logika - univerzální sběrnicové funkce ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BLI-TR. IS43R16160F-6BLI-TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS43R16160F-6BLI-TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : IS43R16160F-6BLI-TR

Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Popis : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Série : -

Stav části : Active

Typ paměti : Volatile

Formát paměti : DRAM

Technologie : SDRAM - DDR

Velikost paměti : 256Mb (16M x 16)

Frekvence hodin : 166MHz

Čas zápisu - slovo, strana : 15ns

Čas přístupu : 700ps

Paměťové rozhraní : Parallel

Napětí - napájení : 2.3V ~ 2.7V

Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : 60-TFBGA

Balík zařízení pro dodavatele : 60-TFBGA (13x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

Můžete se také zajímat

U62256ADK07LLG1

Alliance Memory, Inc.

IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.
W632GG8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

Horké díly