1N4448W-G3-08 Ceny (USD) [2423462ks skladem]
- 1 pcs$0.01611
- 15,000 pcs$0.01603
- Číslo dílu:
- 1N4448W-G3-08
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Zener - pole, Diody - Zener - Single, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4448W-G3-08. 1N4448W-G3-08 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N4448W-G3-08, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
1N4448W-G3-08 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
1N4448W-G3-08
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
Série :
Automotive, AEC-Q101
Stav části :
Active
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
75V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
150mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
720mV @ 5mA
Rychlost :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Doba zpětného obnovení (trr) :
4ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
5µA @ 75V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
SOD-123
Balík zařízení pro dodavatele :
SOD-123
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Horké díly
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18