Číslo dílu :
IPD65R650CEATMA1
Výrobce :
Infineon Technologies
Popis :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
650V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
10.1A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Funkce FET :
Super Junction
Ztráta výkonu (Max) :
86W (Tc)
Provozní teplota :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
PG-TO252-3
Balíček / Případ :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63