Vishay Siliconix - SQS944ENW-T1_GE3

KEY Part #: K6525359

SQS944ENW-T1_GE3 Ceny (USD) [224773ks skladem]

  • 1 pcs$0.16456

Číslo dílu:
SQS944ENW-T1_GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET N-CHAN 40V.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - JFETy, Tyristory - SCR, Tranzistory - IGBTs - Arrays and Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SQS944ENW-T1_GE3. SQS944ENW-T1_GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SQS944ENW-T1_GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS944ENW-T1_GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SQS944ENW-T1_GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET N-CHAN 40V
Série : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 40V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 615pF @ 25V
Výkon - Max : 27.8W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : PowerPAK® 1212-8W
Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® 1212-8W