Číslo dílu :
SIB452DK-T1-GE3
Výrobce :
Vishay Siliconix
Popis :
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
190V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
1.5A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
135pF @ 50V
Ztráta výkonu (Max) :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Balíček / Případ :
PowerPAK® SC-75-6L