Vishay Siliconix - SIB452DK-T1-GE3

KEY Part #: K6416936

SIB452DK-T1-GE3 Ceny (USD) [275873ks skladem]

  • 1 pcs$0.13407
  • 3,000 pcs$0.12616

Číslo dílu:
SIB452DK-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - speciální účel and Tranzistory - IGBTs - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix SIB452DK-T1-GE3. SIB452DK-T1-GE3 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SIB452DK-T1-GE3, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB452DK-T1-GE3 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SIB452DK-T1-GE3
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Série : TrenchFET®
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 190V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 135pF @ 50V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : PowerPAK® SC-75-6L Single
Balíček / Případ : PowerPAK® SC-75-6L

Můžete se také zajímat
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.