Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole
  5. APTM100DDA35T3G

Microsemi Corporation - APTM100DDA35T3G

KEY Part #: K6524321

[3870ks skladem]

    Číslo dílu:
    APTM100DDA35T3G
    Výrobce:
    Microsemi Corporation
    Detailní popis:
    MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Usměrňovače - Single, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Diody - Zener - Single and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTM100DDA35T3G. APTM100DDA35T3G může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTM100DDA35T3G, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM100DDA35T3G Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : APTM100DDA35T3G
    Výrobce : Microsemi Corporation
    Popis : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
    Funkce FET : Standard
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1000V (1kV)
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 22A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V
    Výkon - Max : 390W
    Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Typ montáže : Chassis Mount
    Balíček / Případ : SP3
    Balík zařízení pro dodavatele : SP3

    Poslední zprávy

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Můžete se také zajímat
    • FDY2001PZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F.

    • FDY3001NZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F.

    • IRF7507PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8.

    • SI6993DQ-T1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP.

    • SI6981DQ-T1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.

    • SI6983DQ-T1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP.

    Horké díly