ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61NLP25636A-200B2LI

KEY Part #: K920607

Detailní popis:: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA. SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: PMIC - PFC (korekce účiníku), Rozhraní - Telecom, Specializované integrované obvody, Rozhraní - Moduly, PMIC - Plné, Half-Bridge ovladače, Rozhraní - ovladače, přijímače, vysílače a přijíma, Lineární - analogové násobiče, děliče and Rozhraní - Terminátory signálu ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2LI. IS61NLP25636A-200B2LI může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IS61NLP25636A-200B2LI, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

Číslo dílu : IS61NLP25636A-200B2LI

Výrobce : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Popis : IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Série : -

Stav části : Active

Typ paměti : Volatile

Formát paměti : SRAM

Technologie : SRAM - Synchronous

Velikost paměti : 9Mb (256K x 36)

Frekvence hodin : 200MHz

Čas zápisu - slovo, strana : -

Čas přístupu : 3.1ns

Paměťové rozhraní : Parallel

Napětí - napájení : 3.135V ~ 3.465V

Provozní teplota : -40°C ~ 85°C (TA)

Typ montáže : Surface Mount

Balíček / Případ : 119-BBGA

Balík zařízení pro dodavatele : 119-PBGA (14x22)

Silicom MinnowBoard Turbot

Můžete se také zajímat

W25Q128BVEJG

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 128MB.
W25Q32FVZEJQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 32MB.
W25Q256FVEJF TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 256MB.
MR20H40CDFR

Everspin Technologies Inc.

IC RAM 4M SPI 50MHZ 8DFN. NVRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
GD25VQ80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
7130LA25TFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1K x 8 Dual Port High Speed RAM

Horké díly