Číslo dílu :
SIDR610DP-T1-GE3
Výrobce :
Vishay Siliconix
Popis :
MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) :
200V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C :
8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds :
1380pF @ 100V
Ztráta výkonu (Max) :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže :
Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele :
PowerPAK® SO-8DC
Balíček / Případ :
PowerPAK® SO-8