Microsemi Corporation - APT24M120B2

KEY Part #: K6395329

APT24M120B2 Ceny (USD) [4553ks skladem]

1 pcs$10.46595
10 pcs$9.51294
100 pcs$7.69140

Číslo dílu:: APT24M120B2

Výrobce:: Microsemi Corporation

Detailní popis:: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX.

Standardní dodací lhůta výrobce:: Na skladě

Skladovatelnost:: Jeden rok

Čip od:: Hongkong

RoHS:

Způsob platby:

Způsob přepravy:

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - RF, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tyristory - SCR - Moduly and Tyristory - TRIAC ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT24M120B2. APT24M120B2 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT24M120B2, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT24M120B2 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APT24M120B2

Výrobce : Microsemi Corporation

Popis : MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Série : POWER MOS 8™

Stav části : Active

Typ FET : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1200V

Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)

Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 630 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 8370pF @ 25V

Funkce FET : -

Ztráta výkonu (Max) : 1040W (Tc)

Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže : Through Hole

Balík zařízení pro dodavatele : T-MAX™ [B2]

Balíček / Případ : TO-247-3 Variant

Poslední zprávy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Můžete se také zajímat

IXTY1N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.
FDN359BN

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.
FDN358P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.
SIHA120N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN.
SIHG120N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET E SERIES 600V TO247AC.
IRFP244PBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 15A TO-247AC.

English čeština