FESE16JT-E3/45 Ceny (USD) [3180ks skladem]
- 2,000 pcs$0.22093
- Číslo dílu:
- FESE16JT-E3/45
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC.
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - IGBT - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - Usměrňovače - Single and Diody - Zener - Single ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division FESE16JT-E3/45. FESE16JT-E3/45 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na FESE16JT-E3/45, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
FESE16JT-E3/45 Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
FESE16JT-E3/45
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
Série :
-
Stav části :
Obsolete
Typ diod :
Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
16A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.5V @ 16A
Rychlost :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
50ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
10µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F :
145pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
TO-220-2
Balík zařízení pro dodavatele :
TO-220AC
Provozní teplota - křižovatka :
-65°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single
-
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK. Rectifiers 200V 8A TO-263 Fred Pt
Horké díly
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18