Diodes Incorporated - DMN2011UFX-7

KEY Part #: K6524940

DMN2011UFX-7 Ceny (USD) [249522ks skladem]

  • 1 pcs$0.14823
  • 3,000 pcs$0.13172

Číslo dílu:
DMN2011UFX-7
Výrobce:
Diodes Incorporated
Detailní popis:
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Diodes Incorporated DMN2011UFX-7. DMN2011UFX-7 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na DMN2011UFX-7, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2011UFX-7 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : DMN2011UFX-7
Výrobce : Diodes Incorporated
Popis : MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Dual)
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 2248pF @ 10V
Výkon - Max : 2.1W
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : 4-VFDFN Exposed Pad
Balík zařízení pro dodavatele : V-DFN2050-4