ON Semiconductor - RFD12N06RLESM9A

KEY Part #: K6403222

RFD12N06RLESM9A Ceny (USD) [229337ks skladem]

  • 1 pcs$0.16209
  • 2,500 pcs$0.16128

Číslo dílu:
RFD12N06RLESM9A
Výrobce:
ON Semiconductor
Detailní popis:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - speciální účel, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - usměrňovače - pole, Diody - Zener - pole, Tranzistory - programovatelný Unijunction and Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky ON Semiconductor RFD12N06RLESM9A. RFD12N06RLESM9A může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RFD12N06RLESM9A, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFD12N06RLESM9A Vlastnosti produktu

Číslo dílu : RFD12N06RLESM9A
Výrobce : ON Semiconductor
Popis : MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Série : UltraFET™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 60V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 485pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 49W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : TO-252AA
Balíček / Případ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63