BYG10J-M3/TR Ceny (USD) [742232ks skladem]
- 1 pcs$0.05071
- 12,600 pcs$0.05046
- Číslo dílu:
- BYG10J-M3/TR
- Výrobce:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detailní popis:
- DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD
- Standardní dodací lhůta výrobce:
- Na skladě
- Skladovatelnost:
- Jeden rok
- Čip od:
- Hongkong
- RoHS:
- Způsob platby:
-
- Způsob přepravy:
- Rodinné kategorie:
- KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - SCR, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tyristory - SCR - Moduly, Diody - RF and Diody - Můstkové usměrňovače ...
- Konkurenční výhoda:
- Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10J-M3/TR. BYG10J-M3/TR může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na BYG10J-M3/TR, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
BYG10J-M3/TR Vlastnosti produktu
Číslo dílu :
BYG10J-M3/TR
Výrobce :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis :
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Série :
Automotive, AEC-Q101
Stav části :
Active
Typ diod :
Avalanche
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
1.5A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.15V @ 1.5A
Rychlost :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
4µs
Proud - reverzní únik @ Vr :
1µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F :
-
Typ montáže :
Surface Mount
Balíček / Případ :
DO-214AC, SMA
Balík zařízení pro dodavatele :
DO-214AC (SMA)
Provozní teplota - křižovatka :
-55°C ~ 150°C
Poslední zprávy
Můžete se také zajímat
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
SD103A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SGL DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40 Volt 15A IFSM
-
BAV19-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
-
BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA
-
1N4454-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Rectifiers Vr/100V Io/10mA
-
1N4454-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/100V Io/10mA
Horké díly
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08