Vishay Siliconix - IRFBE30STRLPBF

KEY Part #: K6399315

IRFBE30STRLPBF Ceny (USD) [41587ks skladem]

  • 1 pcs$0.94020
  • 800 pcs$0.88648

Číslo dílu:
IRFBE30STRLPBF
Výrobce:
Vishay Siliconix
Detailní popis:
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - JFETy, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tyristory - SCR - Moduly, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Zener - pole, Diody - Můstkové usměrňovače and Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors) ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Vishay Siliconix IRFBE30STRLPBF. IRFBE30STRLPBF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IRFBE30STRLPBF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBE30STRLPBF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IRFBE30STRLPBF
Výrobce : Vishay Siliconix
Popis : MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 800V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 125W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : D2PAK
Balíček / Případ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Můžete se také zajímat
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFI614GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP.