Infineon Technologies - IPI80N06S207AKSA2

KEY Part #: K6418814

IPI80N06S207AKSA2 Ceny (USD) [78713ks skladem]

  • 1 pcs$0.49675
  • 500 pcs$0.47309

Číslo dílu:
IPI80N06S207AKSA2
Výrobce:
Infineon Technologies
Detailní popis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Diody - Usměrňovače - Single, Tranzistory - JFETy, Diody - RF, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single and Diody - Zener - pole ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Infineon Technologies IPI80N06S207AKSA2. IPI80N06S207AKSA2 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IPI80N06S207AKSA2, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI80N06S207AKSA2 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IPI80N06S207AKSA2
Výrobce : Infineon Technologies
Popis : MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Série : OptiMOS™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 55V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 3400pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 250W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže : Through Hole
Balík zařízení pro dodavatele : PG-TO262-3-1
Balíček / Případ : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA