Taiwan Semiconductor Corporation - RS1JLHRFG

KEY Part #: K6437548

RS1JLHRFG Ceny (USD) [1700388ks skladem]

  • 1 pcs$0.02175

Číslo dílu:
RS1JLHRFG
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tyristory - TRIAC, Tyristory - DIAC, SIDAC, Tranzistory - IGBTs - Single, Diody - Usměrňovače - Single, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - FETy, MOSFETy - Single, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single and Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLHRFG. RS1JLHRFG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RS1JLHRFG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1JLHRFG Vlastnosti produktu

Číslo dílu : RS1JLHRFG
Výrobce : Taiwan Semiconductor Corporation
Popis : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Série : Automotive, AEC-Q101
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 800mA
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 250ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 5µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-219AB
Balík zařízení pro dodavatele : Sub SMA
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 150°C

Můžete se také zajímat
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM