Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J212FE,LF

KEY Part #: K6421476

SSM6J212FE,LF Ceny (USD) [603363ks skladem]

  • 1 pcs$0.06777
  • 4,000 pcs$0.06743

Číslo dílu:
SSM6J212FE,LF
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detailní popis:
MOSFET P-CH 20V 4A ES6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - programovatelný Unijunction, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - IGBT - Moduly, Diody - Zener - pole, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF and Tyristory - SCR - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE,LF. SSM6J212FE,LF může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na SSM6J212FE,LF, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J212FE,LF Vlastnosti produktu

Číslo dílu : SSM6J212FE,LF
Výrobce : Toshiba Semiconductor and Storage
Popis : MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Série : U-MOSVI
Stav části : Active
Typ FET : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 20V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 14.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 970pF @ 10V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 500mW (Ta)
Provozní teplota : 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : ES6
Balíček / Případ : SOT-563, SOT-666