Microsemi Corporation - APT64GA90B2D30

KEY Part #: K6421738

APT64GA90B2D30 Ceny (USD) [6891ks skladem]

1 pcs$5.98030
10 pcs$5.43736
25 pcs$5.02944
100 pcs$4.62171
250 pcs$4.21392
500 pcs$3.94206

Číslo dílu:: APT64GA90B2D30

Výrobce:: Microsemi Corporation

Detailní popis:: IGBT 900V 117A 500W TO-247.

Standardní dodací lhůta výrobce:: Na skladě

Skladovatelnost:: Jeden rok

Čip od:: Hongkong

RoHS:

Způsob platby:

Způsob přepravy:

Rodinné kategorie:: KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Moduly ovladače napájení, Tyristory - SCR, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - speciální účel, Diody - RF, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Tyristory - TRIAC ...

Konkurenční výhoda:: Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APT64GA90B2D30. APT64GA90B2D30 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APT64GA90B2D30, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT64GA90B2D30 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APT64GA90B2D30

Výrobce : Microsemi Corporation

Popis : IGBT 900V 117A 500W TO-247

Série : POWER MOS 8™

Stav části : Active

Typ IGBT : PT

Napětí - Porucha vysílače kolektoru (Max) : 900V

Proud - kolektor (Ic) (Max) : 117A

Proud - kolektor pulzní (Icm) : 193A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.1V @ 15V, 38A

Výkon - Max : 500W

Přepínání energie : 1192µJ (on), 1088µJ (off)

Typ vstupu : Standard

Gate Charge : 162nC

Td (zapnuto / vypnuto) @ 25 ° C : 18ns/131ns

Podmínky testu : 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V

Doba zpětného obnovení (trr) : -

Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže : Through Hole

Balíček / Případ : TO-247-3 Variant

Balík zařízení pro dodavatele : -

Poslední zprávy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Můžete se také zajímat

FGD3N60LSDTM

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 40W DPAK.
FDV301N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.
SSM3J325F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.
BSS138

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.
BSS123NH6433XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.
BSS7728NH6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.

English čeština