Microsemi Corporation - APTM100A13DG

KEY Part #: K6522573

APTM100A13DG Ceny (USD) [590ks skladem]

  • 1 pcs$78.99321
  • 100 pcs$78.60021

Číslo dílu:
APTM100A13DG
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - speciální účel and Tranzistory - JFETy ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation APTM100A13DG. APTM100A13DG může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na APTM100A13DG, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100A13DG Vlastnosti produktu

Číslo dílu : APTM100A13DG
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Série : -
Stav části : Active
Typ FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET : Standard
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1000V (1kV)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 562nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 15200pF @ 25V
Výkon - Max : 1250W
Provozní teplota : -40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Chassis Mount
Balíček / Případ : SP6
Balík zařízení pro dodavatele : SP6