IXYS - IXFT10N100

KEY Part #: K6411112

IXFT10N100 Ceny (USD) [8126ks skladem]

  • 1 pcs$5.86094
  • 30 pcs$5.83178

Číslo dílu:
IXFT10N100
Výrobce:
IXYS
Detailní popis:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Zener - Single, Tranzistory - speciální účel, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Tyristory - SCR, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole and Tranzistory - IGBT - Moduly ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky IXYS IXFT10N100. IXFT10N100 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na IXFT10N100, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT10N100 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : IXFT10N100
Výrobce : IXYS
Popis : MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
Série : HiPerFET™
Stav části : Active
Typ FET : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 1000V
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 25V
Funkce FET : -
Ztráta výkonu (Max) : 300W (Tc)
Provozní teplota : -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže : Surface Mount
Balík zařízení pro dodavatele : TO-268
Balíček / Případ : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Můžete se také zajímat
  • SSN1N45BBU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.

  • ZVP4424ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVP4424ASTOA

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVP4105ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3.

  • ZVP4105ASTOA

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 50V 0.175A TO92-3.

  • ZVP3310ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.