NXP USA Inc. - PSMN050-80PS,127

KEY Part #: K6415217

[12486ks skladem]


    Číslo dílu:
    PSMN050-80PS,127
    Výrobce:
    NXP USA Inc.
    Detailní popis:
    MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB.
    Standardní dodací lhůta výrobce:
    Na skladě
    Skladovatelnost:
    Jeden rok
    Čip od:
    Hongkong
    RoHS:
    Způsob platby:
    Způsob přepravy:
    Rodinné kategorie:
    KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Moduly ovladače napájení, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Diody - RF, Tranzistory - programovatelný Unijunction, Tranzistory - JFETy and Diody - Zener - Single ...
    Konkurenční výhoda:
    Specializujeme se na elektronické součástky NXP USA Inc. PSMN050-80PS,127. PSMN050-80PS,127 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na PSMN050-80PS,127, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN050-80PS,127 Vlastnosti produktu

    Číslo dílu : PSMN050-80PS,127
    Výrobce : NXP USA Inc.
    Popis : MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB
    Série : -
    Stav části : Obsolete
    Typ FET : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Vypuštění na zdrojové napětí (Vdss) : 80V
    Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
    Napětí pohonu (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 12V
    Funkce FET : -
    Ztráta výkonu (Max) : 56W (Tc)
    Provozní teplota : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Typ montáže : Through Hole
    Balík zařízení pro dodavatele : TO-220AB
    Balíček / Případ : TO-220-3

    Můžete se také zajímat
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.