Rohm Semiconductor - RFN10TF6S

KEY Part #: K6456495

RFN10TF6S Ceny (USD) [127239ks skladem]

  • 1 pcs$0.32136
  • 1,000 pcs$0.31976

Číslo dílu:
RFN10TF6S
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM. Diodes - General Purpose, Power, Switching Diode Switching 600V 10A
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí, Tranzistory - FETy, MOSFETy - Pole, Diody - Můstkové usměrňovače, Tranzistory - IGBTs - Single, Tranzistory - FETy, MOSFETy - RF, Moduly ovladače napájení, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated and Diody - Usměrňovače - Single ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Rohm Semiconductor RFN10TF6S. RFN10TF6S může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na RFN10TF6S, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN10TF6S Vlastnosti produktu

Číslo dílu : RFN10TF6S
Výrobce : Rohm Semiconductor
Popis : DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Série : -
Stav části : Not For New Designs
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 600V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 10A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 10A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 50ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 10µA @ 600V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : TO-220-2
Balík zařízení pro dodavatele : TO-220NFM
Provozní teplota - křižovatka : 150°C (Max)

Můžete se také zajímat
  • DSEP8-03AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA.

  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • SL03-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V

  • FESB8BTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM

  • UGB8CTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM

  • UGB8DTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 200 Volt 20ns 150 Amp IFSM