Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - Usměrňovače - Single
  5. 1N3890

GeneSiC Semiconductor - 1N3890

KEY Part #: K6425478

1N3890 Ceny (USD) [16196ks skladem]

  • 1 pcs$2.54452
  • 100 pcs$2.03114
Číslo dílu:
1N3890
Výrobce:
GeneSiC Semiconductor
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 100V 12A DO4. Rectifiers 100V 12A Fast Recovery
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Tranzistory - bipolární (BJT) - RF, Diody - usměrňovače - pole, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Diody - Zener - pole, Diody - variabilní kapacita (Varicaps, Varactors), Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tyristory - TRIAC and Diody - Můstkové usměrňovače ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky GeneSiC Semiconductor 1N3890. 1N3890 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na 1N3890, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3890 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : 1N3890
Výrobce : GeneSiC Semiconductor
Popis : DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
Série : -
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 100V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 12A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 12A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 200ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 25µA @ 50V
Kapacita @ Vr, F : -
Typ montáže : Chassis, Stud Mount
Balíček / Případ : DO-203AA, DO-4, Stud
Balík zařízení pro dodavatele : DO-4
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 150°C
Můžete se také zajímat
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T

Horké díly