Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Pokud vaše místo není uvedeno, vyberte jednu z následujících možností:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Domů
  2. produkty
  3. Diskrétní polovodičové produkty
  4. Diody - Usměrňovače - Single
  5. JANS1N5809

Microsemi Corporation - JANS1N5809

KEY Part #: K6441994

JANS1N5809 Ceny (USD) [1266ks skladem]

  • 1 pcs$34.20081
  • 10 pcs$32.12615
  • 25 pcs$30.67546
Číslo dílu:
JANS1N5809
Výrobce:
Microsemi Corporation
Detailní popis:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL.
Standardní dodací lhůta výrobce:
Na skladě
Skladovatelnost:
Jeden rok
Čip od:
Hongkong
RoHS:
Způsob platby:
Způsob přepravy:
Rodinné kategorie:
KEY Components Co., LTD je distributor elektronických součástek, který nabízí kategorie produktů včetně: Diody - Můstkové usměrňovače, Tyristory - TRIAC, Tranzistory - IGBTs - Arrays, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Pre-Biated, Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, Tranzistory - Bipolární (BJT) - Single, Tranzistory - speciální účel and Tranzistory - bipolární (BJT) - pole, předpětí ...
Konkurenční výhoda:
Specializujeme se na elektronické součástky Microsemi Corporation JANS1N5809. JANS1N5809 může být dodán do 24 hodin po objednání. Pokud máte jakékoli požadavky na JANS1N5809, odešlete zde žádost o cenovou nabídku nebo nám zašlete e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N5809 Vlastnosti produktu

Číslo dílu : JANS1N5809
Výrobce : Microsemi Corporation
Popis : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Série : Military, MIL-PRF-19500/477
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 100V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 3A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 30ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 5µA @ 100V
Kapacita @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Typ montáže : Through Hole
Balíček / Případ : B, Axial
Balík zařízení pro dodavatele : -
Provozní teplota - křižovatka : -65°C ~ 175°C

Poslední zprávy

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Můžete se také zajímat
  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-30APF10-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • VS-60APU04-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 400V Ultrafast 50ns FRED Pt

  • VS-C4PH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A TO247AD. Rectifiers 600V 2x15A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • VS-C4PH3006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A TO247AD. Rectifiers 600V 2x15A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • 1N4148-A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35.

Horké díly